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产品分类
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产品信息
特点
•1.8V供电，1.8V的I / O电源
•双数据速率的架构;每个时钟周期的数据传输
•双向数据选通（DQS）
•四家银行的运作
•1/ CS
•1 CKE
•差分时钟输入（CK和CK）
•MRS循环的重点项目地址
- CAS延迟时间（2，3）
- 突发长度（2，4，8，16）
- 突发类型（顺序及交织）
- 局部自刷新类型（完整，1/2，1/4阵列）
- 输出驱动强度控制（完整，1/2，1/4，1/8）
•内部温度补偿自刷新
•深度掉电模式
•除数据和糖尿病所有的输入被采样在系统时钟（CK）的正边沿。
•数据的I / O事务上的数据选通，糖尿病掩蔽的两边。
•边缘对齐的数据输出，中心对齐的数据输入。
•无DLL; CK的DQS不同步。
•DM0 - DM3只写掩蔽。
•自动刷新占空比
- 7.8us为-25至85°C
•1.8V供电，1.8V的I / O电源
•双数据速率的架构;每个时钟周期的数据传输
•双向数据选通（DQS）
•四家银行的运作
•1/ CS
•1 CKE
•差分时钟输入（CK和CK）
•MRS循环的重点项目地址
- CAS延迟时间（2，3）
- 突发长度（2，4，8，16）
- 突发类型（顺序及交织）
- 局部自刷新类型（完整，1/2，1/4阵列）
- 输出驱动强度控制（完整，1/2，1/4，1/8）
•内部温度补偿自刷新
•深度掉电模式
•除数据和糖尿病所有的输入被采样在系统时钟（CK）的正边沿。
•数据的I / O事务上的数据选通，糖尿病掩蔽的两边。
•边缘对齐的数据输出，中心对齐的数据输入。
•无DLL; CK的DQS不同步。
•DM0 - DM3只写掩蔽。
•自动刷新占空比
- 7.8us为-25至85°C
该模式寄存器被设计为支持DDR SDRAM的各种操作模式。它包括CAS延时，寻址方式，
突发长度，测试模式和供应商的特定选项，使DDR SDRAM的有用的各种应用。的默认值
模式寄存器没有定义，因此该模式寄存器必须写在DDR SDRAM的上电顺序。该模式寄存器写的是主张对CS，RAS，CAS和我们（DDR SDRAM的应在主动模式与CKE已经很高前
写入到模式寄存器）。地址引脚的状态A0～A12和BA0，BA1在同一周期为CS，RAS，CAS和WE
变低都写在模式寄存器。两个时钟周期才能完成该模式寄存器的写操作。即使
的上电顺序完成和一些读或写操作之后执行，模式寄存器的内容可以是
改变用相同的命令和两个时钟周期。此命令必须发出只有当所有的银行都处于空闲状态。如果
模式寄存器改变，扩展模式寄存器自动复位，进入默认状态。因此，扩展模式寄存器
必须重新设置。该模式寄存器分为各个领域根据各自的功能。该突发长度使用A0～A2，
寻址方式使用A3，CAS延迟时间（读取列地址延时）使用A4～A6，A7～A12用于测试模式。 BA0和
BA1必须设置为低适当MRS操作。