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产品分类
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产品信息
特色汇总
●移动DDR SDRAM
- 双数据速率架构：每两个数据传输
时钟周期
●移动DDR SDRAM接口
- x16总线宽度
- 复用的地址（行地址和列地址）
●电源电压
- 1.8V设备：VDD和VDDQ=1.7V到1.95V
●记忆电池阵列
- 的256Mbit（x16设备）=大4M x4Bank×16的I / O
●数据选通
- x16设备：LDQS和UDQS
- 双向，数据选通（DQS）传输和处理数据，以用于接收在捕获数据
接收器
- 数据和数据掩膜引用的DQS两个边缘
●低功耗特性
- PASR（部分阵列自刷新）
- 自动TCSR（温度补偿自刷新）
- DS（驱动力）
- DPD（深度掉电）：DPD是一项可选功能，
所以请联系海力士办公室的DPD功能
●输入时钟
- 差分时钟输入（CK，CK）
●数据屏蔽
- LDM和UDM：输入屏蔽信号的写入数据
- 糖尿病口罩写数据输入在上升沿和
数据选通脉冲的下降沿
●模式RERISTER设置，扩展模式寄存器设置和状态寄存器读
- 保持在JEDEC的标准规定
（低功耗DDR SDRAM）
●CAS延迟
- 可编程CAS延时2或3支持
●突发长度
- 可编程突发长度2/4/8既连续的和交织模式
●自动预充电
- 选项为每个突发访问
●自动刷新和自刷新模式
●时钟停止模式
- 时钟停止模式是由移动DDR支持的功能
SDRAM。
- 保持在JEDEC的标准规定
●初始化移动DDR SDRAM
- 发生在器件上电时或设备中断
功率
●包装
- H5MS2562JFR：60球FBGA，铅，无卤素
●本产品符合该指令
有关RoHS指令的。
●移动DDR SDRAM
- 双数据速率架构：每两个数据传输
时钟周期
●移动DDR SDRAM接口
- x16总线宽度
- 复用的地址（行地址和列地址）
●电源电压
- 1.8V设备：VDD和VDDQ=1.7V到1.95V
●记忆电池阵列
- 的256Mbit（x16设备）=大4M x4Bank×16的I / O
●数据选通
- x16设备：LDQS和UDQS
- 双向，数据选通（DQS）传输和处理数据，以用于接收在捕获数据
接收器
- 数据和数据掩膜引用的DQS两个边缘
●低功耗特性
- PASR（部分阵列自刷新）
- 自动TCSR（温度补偿自刷新）
- DS（驱动力）
- DPD（深度掉电）：DPD是一项可选功能，
所以请联系海力士办公室的DPD功能
●输入时钟
- 差分时钟输入（CK，CK）
●数据屏蔽
- LDM和UDM：输入屏蔽信号的写入数据
- 糖尿病口罩写数据输入在上升沿和
数据选通脉冲的下降沿
●模式RERISTER设置，扩展模式寄存器设置和状态寄存器读
- 保持在JEDEC的标准规定
（低功耗DDR SDRAM）
●CAS延迟
- 可编程CAS延时2或3支持
●突发长度
- 可编程突发长度2/4/8既连续的和交织模式
●自动预充电
- 选项为每个突发访问
●自动刷新和自刷新模式
●时钟停止模式
- 时钟停止模式是由移动DDR支持的功能
SDRAM。
- 保持在JEDEC的标准规定
●初始化移动DDR SDRAM
- 发生在器件上电时或设备中断
功率
●包装
- H5MS2562JFR：60球FBGA，铅，无卤素
●本产品符合该指令
有关RoHS指令的。